我们是谁
  • 英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成,我们相信GaN可以改变世界,我们的目标是以更低的价格,向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件,并且实现GaN技术在市场的广泛应用。

我们的业务
  • 我们设计、开发和制造涵盖从低压到高压(15V-1200V)面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。同时,因为我们拥有大规模量产能力、采用8英寸先进的生产工艺,所以在产能、器件性能、可靠性、工艺稳定性及价格合理性都具有显著的竞争优势。我们与众多客户和合作伙伴携手致力于氮化镓技术相关系统和解决方案的开发。

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