1.1 特性
- 42mΩE型GaN集成栅夹
- 700V连续、800V瞬态额定电压
- 宽10V至24V栅极输入电压范围
- 可调节的开启和关闭回转率
- 集成米勒夹
- dv/dt抗扰度高达100V/ns
- 并行能力
- 零反向恢复费用
- 高达2MHz的高频操作
- 内置DESAT的短路保护
- 输入UVLO和OTP保护
- 提供TO-220-3L包装
带短路过流保护的700V/42mΩ 合封氮化镓
ISG6123 SolidGaN IC无缝集成了具有先进功能的700V E型GaN FET,为电力电子的性能、易用性和可靠性树立了新的标准。
| Parameter | Value |
|---|---|
| VDS,max | 700V |
| RDS(on),typ | 40mΩ |
| RDS(on),max | 50mΩ |
| ID,max | 46A |
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