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1.1 特性
- 与AFE和MCU控制逻辑兼容
- 8uA低静态电流
- VGaN HEMT专用5V栅极驱动电压
- 快速打开/关闭速度
- 能够并行驱动多个VGaN HEMT
- SOP 8导联包装
产品
INS1011SD
100V低压侧双向VGaN驱动器
1. 产品描述
INS1011旨在驱动Innoscience专有的40V至120V VGaN增强型双向GaN HEMT，具有单栅极双漏极。
1.2 应用市场
- 储能系统（ESS）
- 电动自行车、电动滑板车
- 备用电池和UPS
- 电力和园艺工具
- 轻型电动汽车（LEV）
