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1.1 特性
- 3.1mΩ（HS）/2.7mΩ（LS）半桥GaN FET闸门驱动器
- 80V连续，100V瞬态额定电压
- 最高可切换5MHz
- 独立的高压侧和低压侧PWM输入
- 高、低侧司机联锁
- 内部强智能自举开关
- 自适应穿射保护
- 快速传播延迟（典型值为20ns）
- 出色的延迟匹配（典型1ns）
- 内置UVLO、OVLO、OTP保护
- 35μA低VCC静态电流
- 集成VCC/BST电容器
- 高达50V/ns的dv/dt抗扰度
- 可调节开启速度
- 针对简单、低EMI PCB布局进行了优化
- En LGA 6.5mmx6.5mm，带顶部冷却
