英诺赛科-Product

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INN100EA070DAD

100V增强型GaN功率晶体管

1. 产品描述

基于先进GaN技术的100V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用En-FCLGA 3.3 mm x 3.3mm 封装。

1.1 特性

硅基GaN E型HEMT技术
工业应用
极低的栅极电荷
超低导通电阻
超小占板面积

1.2 应用市场

高频直流-直流转换器
高密度直流/直流电源模块
同步整流
电机驱动器
太阳能系统最大功率点追踪与太阳能优化器

Parameter	Value
VDS,max	100V
RDS(on),typ @ VGS = 5 V	5.8mΩ
RDS(on),max @ VGS = 5 V	7.8mΩ
QG,typ @ VDS = 50 V	3.3nC
IDS,Pulse (TJ = 25˚C)	175A
QOSS @ VDS = 50 V	17.3nC

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