Innoscience All GaN 解决方案加速 USB PD3​​.1 应用

11 月 26 日，Innosceience 在 2021（秋季）USB PD & Type-C 亚洲博览会上展示了其 All GaN 解决方案。 同时，Innoscience高级产品应用经理邹彦波发表了“高性能全GaN解决方案加速USB PD 3.1应用”的主题演讲，分享了他对GaN市场价值和新应用趋势的见解！

Innoscience高级产品应用经理邹彦波

“USB PD 3.1快充标准带来了更高的输出电压、更高的功率和功率密度。除了手机、平板、笔记本电脑，它们还可以应用于显示器、相机、无人机、清洁机器人、电源等多个场景。 工具，电动自行车，”邹彦波指出，“目前Innoscience的GaN器件可以覆盖所有应用场景。”

然而，USB PD 3.1协议的引入也对电源设计提出了新的挑战。 GaN功率器件凭借其出色的效率和高开关频率，可以完美应对电源设计中的挑战。

因此，Innoscience 推出了从 65W 到 240W 的全系列 All GaN 解决方案，以进一步提高功率密度和效率。 推出150V GaN芯片，提供All GaN解决方案，与市场上最高标准的150V Si MOS相比，性能提升2-3倍。

据邹彦波介绍，Innoscience的All GaN解决方案有以下三种类型：65W1C、140W 28V/5A和240W 48V/5A。

其中，基于150V GaN芯片性能升级的65W All GaN解决方案的功率密度可以达到31W/in3。 其效率在 90V AC 时为 93.4%，在 230V 时为 94.7%。

140W方案可支持28V/5A输出，采用无桥PFC+ACF架构，功率密度30W/in3，尺寸堪比传统65W快充。

240W（PD3.1 48V5A）方案采用图腾柱无桥PFC+LLC设计，功率密度41W/in3，一张银行卡大小。

邹彦波表示，在量产高低压GaN器件的同时，Innoscience还致力于提供全链路、高效率、高频、高密度的解决方案，从前端电网侧向充电器和到手机内部，交付端到端解决方案并帮助提高能源效率。值得一提的是，在IDM模式的帮助下，Innoscience每两代产品升级，单片晶圆上的芯片数量可以增加两倍左右。

得益于丰富的InnoGaN系列产品线，Innoscience在消费类电源市场上遥遥领先。目前出货量超过4000万台，已为联想、努比亚、魅族、ANKER、UGREEN、Baseus、Pisen、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tagic等众多知名品牌和厂商提供解决方案，并推出与合作伙伴一起提供卓越的 GaN 应用解决方案。

展望未来，邹彦波表示，All GaN解决方案将在绿色能源、数据中心能源、智能电力和直流楼宇四大领域拥有广泛的应用机会。 “Innoscience 正在用‘GaN’做一些有意义的事情。如果用 GaN 将整个电源电路的效率提高 5%，假设全球年耗电量为 27 万亿千瓦时，它可以减少 10 亿吨碳排放。”

总体而言，作为全球第一家量产8英寸GaN-on-Si芯片的企业，英诺科技正以强劲的销量引领着全球第三代半导体的发展。随着Innoscience苏州工厂的成功量产，也为全面迎接即将到来的GaN黄金时代做好了充分的准备。

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