简体
English
1.1 特性
- 350mΩE型GaN，内置栅夹
- 700V连续、750V脉冲额定电压
- 宽8V至20V栅极输入电压范围
- 可调节的开启和关闭回转率
- 硅MOSFET的插入式替换
- 使用硅MOSFET控制器和驱动器
- 零反向恢复费用
- 内置DESAT的短路保护
- 提供TO220 FullPAK封装
产品
ISG6136TJ
与硅MOSFET兼容的700V 350mΩ固态GaN
1. 产品描述
ISG6136 SolidGaN IC将700V增强型氮化镓（GaN）FET与内置栅极钳位和DESAT保护无缝集成在传统的TO220 FullPAK封装中。
1.2 应用市场
- Boost PFC，QR反激拓扑
- AHB，LLC拓扑结构
- AC-DC电源适配器，LED照明
- 电视电源、家电电源
| Parameter | Value |
|---|---|
| VDS,max | 700V |
| RDS(on),typ | 270mΩ |
| RDS(on),max | 350mΩ |
| ID,max | 6A |