2025 年 3 月 19 日 - 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（香港联交所代码：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化镓（GaN-on-Si）芯片制造及电源解决方案企业。英诺赛科今天宣布其在与美国宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）发起的专利侵权案中取得决定性胜利：2025 年 3 月 18 日,美国专利局（ USPTO ）对EPC涉案专利 (US’294号专利) 作出最终裁定，判决该专利所有被挑战的权利要求均无效且应被撤销。这一判决从根本上否定了EPC针对英诺赛科的指控基础，标志着英诺赛科在EPC发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。
2023年5月，EPC在ITC对英诺赛科发起专利侵权诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了EPC的US’294号专利和其他三项美国专利。其后，EPC主动撤诉其中两项专利。ITC最终裁定第三项专利没有侵权。对于US’294号专利，ITC裁定部分权利要求有效且被侵权。
英诺赛科坚决反对ITC有关US’294号专利有效及侵权的裁决，并且已于2025年1月31日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为ITC 关于US’294号专利的判决有误，应予以推翻。
现在，美国专利局（USPTO）关于US’294号专利的无效裁定证实了ITC先前对该专利的判决存在错误判断，也确定了 EPC 对英诺赛科的指控并无根据。USPTO在其最终裁决中指出EPC的US’294号专利所有权利要求均无效，因为它们仅仅是重复氮化镓（“GaN”）领域的现有且被广泛使用的通用技术。
美国专利局的无效判决标志着英诺赛科在此次与EPC的专利侵权案中取得了终极胜利。随着和EPC的法律争端迎来胜利，英诺赛科会将全部精力集中到为全球客户开发和提供一流的基于 GaN 的电源解决方案中，为绿色高效新世界贡献自己的力量。
关于英诺赛科
英诺赛科成立于 2015 年，目前已经成为全球最大的氮化镓半导体器件IDM（全产业链模式）制造商，集成并简化了包括设计、制造、封装、电路应用和销售在内的所有流程，持续引领氮化镓技术前沿。我们开发出的产品覆盖从低压30V到高压700V的全电压等级范围。英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造能力，这能够显著降低我们的生产成本。
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