2023年，第三代半导体产业的发展热度不减，节能减碳的需求更为明显，整个GaN 行业更多聚焦于技术研发与市场开拓。作为全球第一家八英寸硅基氮化镓IDM企业，英诺赛科早已在国内、国外多个地区进行布局，与行业伙伴共同加速了氮化镓的应用进程。
而在技术研发方面，2023年英诺赛科基于8英寸硅基氮化镓的研发平台，不断更新迭代，推出了46款新产品，从消费家电到数据中心、光伏与储能，再到汽车电子，不断为终端应用注入新能量。
适用于快充、适配器、LED、工业电源领域的 650V-700V产品，导阻涵盖70mΩ~600mΩ，具备小体积、高功率密度以及平衡散热能力等优势，是电源设计的经典首选。
部分电源设计对极致小体积的需求度较低，大规模量产需要更高性价比的 GaN 芯片，针对这一类客户的需要，我们开发了采用 TO252/TO220/TO220F 封装的 700V 产品，不仅成本更低，还能帮助实现更强的系统散热设计。
光伏、服务器电源和工业电源产品要求大功率、高散热特性，英诺赛科推出 650V TOLL 封装产品，适配大功率应用的贴片封装，为终端应用提供更多选择。
VGaN是全球首款双向导通GaN芯片，仅用一颗就能替代两颗 SiMOS，减小占板面积，降低系统成本，实现电池保护等功能。40V VGaN 已成功在 OPPO、联想、Realme、一加等多款智能手机中得到大批量应用。基于市场大规模商用的需求，2023年我们相继开发了多款 VGaN 新品，全面提升器件性能，以满足更多应用需求。其中，INV100FQ030A 耐压提高到 100V，应用领域可拓展到电池管理系统 (BMS)。
在深入拓展消费类应用之后，英诺赛科率先布局光伏与储能市场。2023年，英诺赛科开发了4款 100V-150V 低压 GaN，可广泛应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、微型逆变器、通信电源、高频DC-DC转换器及电机驱动等领域。
随着汽车电子市场的爆发式增长，英诺赛科的氮化镓“上车”布局及计划也正在一步步实现，2023年英诺赛科低压车规级产品已在头部车企的车载激光雷达中得到应用，并实现量产。INN100W135A-Q 是2023年车规新品，目前已通过 AEC-Q101 认证，适用于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器和D类音频等。
2023年上半年，英诺赛科针对数据中心模块电源、电机驱动、D类功放等领域推出了集成合封GaN，首款 ISG3201 内部高度集成了2颗 100V/3.2mΩ 的 GaN 和1颗 100V 半桥驱动，能够最大程度简化电路设计。该系列的 ISG3202/ ISG6106QA/ ISG6108QA 等五款新品也将于2024年上半年相继发布，敬请期待。
以上便是2023年英诺赛科推出的46款氮化镓新品，更多详细资料也可以在官网获取。
英诺赛科作为一家全球领先的氮化镓IDM企业，致力于提升中国第三代半导体的全球影响力，未来也将持续开发高性能氮化镓器件和产品应用设计，为家电、数据中心、电池化成、光伏、汽车电子等多个领域赋能！
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