英诺赛科连续两年荣获全球最具潜力第三代半导体技术奖

01Dec 2023 事件

由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的“国际集成电路展览会暨研讨会”（IIC Shenzhen 2023）于2023年11月2日在深圳大中华交易广场重磅启幕。英诺赛科受邀参与IIC高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛，并被评选为2023年全球电子成就奖-最具潜力第三代半导体技术企业。

InnoGaN 助力高频高效高功率密度电源发展

伴随着中国经济的持续快速增长，电源产业呈现良好的发展态势，据中国电源协会预测，到2025年电源市场规模将增至5400亿元，2021-2025年CAGR 达11%。同时，在绿色低碳战略不断推进与深入进程中，提升能源利用效率和能源转换效率已成为各行各业的共识。氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体，近年来在应用端的价值被不断发掘，其高速、高频、高效率的特性不断推动着系统应用的革新，也推动着行业不断朝着低碳、节能的发展。

英诺赛科市场应用高级主任黄锋在高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛上表示，功率半导体是能源电子的核心支撑，而当前模块电源性能的发展已达到了瓶颈，需要通过损耗更低的功率半导体如氮化镓与创新应用设计相结合。会上，黄锋重点介绍了英诺赛科针对数据中心48V供电架构开发的 LLC-DCX IBC模块，功率覆盖从300W-1000W，最高效率超过98%，高性能InnoGaN芯片助力数据中心系统效率全面提升。

英诺赛科 连续两年荣获全球电子成就奖

全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards)旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，由AspenCore全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选。

英诺赛科以其卓越的市场表现，再次被评为2023年度全球最具潜力第三代半导体技术企业，荣获该奖项的企业还有安森美、Cambridge GaN Devices。全球电子成就奖于行业而言是一项崇高的荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。英诺赛科作为一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与制造的IDM企业，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓生产基地。通过大规模量产能力、8英寸先进的生产工艺，英诺赛科开发出多品类、高性能的氮化镓产品，快速实现了氮化镓在市场上的广泛应用。不止于消费类领域，英诺赛科氮化镓芯片已经在光伏与储能、自动驾驶等应用中实现大批量交付！

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