Innoscience（苏州）GaN FAB成功扩产

ijiwei. com Innoscience（苏州）半导体有限公司于6月5日在汾湖高新技术开发区举行了量产研发大楼奠基仪式，该项目一期预计投资80亿元人民币。 2020年完成厂房建设和设备搬迁，即刻开始量产，使Innosceince成为全球第一家在8英寸硅衬底上量产GaN芯片的公司。随着产能的逐步提升，到2021年底可实现月产6000片晶圆。到2022年底，苏州工厂8英寸GaN-on-Si的年产能将达到78万片，预计产量年产值150亿元，利税15亿元。

上海市政府副秘书长、上海市发展和改革委员会主任、长三角一体化示范区执行委员会主任华元，创新科技董事长罗维维，常务副主任沉国芳苏州市人大代表、吴江区委书记李明、国家集成电路产业投资基金总裁丁文武、长三角一体化示范区执行委员会副主任、副主任唐晓东江苏省发改委、苏州市工业和信息化局局长万里、英诺科总经理孙在恒、吴江区委常委、工委党组书记、管理处处长张炳高汾湖高新技术开发区委员会，吴玲，主席第三代半导体产业技术创新战略联盟常务委员、吴江区副区长钱宇、SK集团大中华区总裁吴作义、招银国际首席投资官王洪波共同揭牌量产仪式。轰隆隆的炮声和绚丽的烟花预示着Innoscience的发展新阶段。

GaN基材料的量产意味着公司进入了快车道，研发是Innoscience前进的基础。与量产仪式同时举行的还有，8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期一期扩能项目签约仪式及研发大楼奠基仪式。凭借其强大的研究能力和能力，四部委（发改委、工业和信息化部、财政部、海关总署）将英诺科技作为0.25微米及以下芯片制造的重点支持对象。先进的技术。 Innoscience也是中国第一个遵循国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。同时，作为苏州独角兽孵化器，英诺科技承担了多项国家相关部委、省部级重点研发项目。研发大楼的破土动工预示着未来会有更多的创新在这里涌现。

Innoscience 总经理 SON JAYHYUNG 指出，经过 7 年多的发展，硅正在达到极限，而 GaN 是未来工业发展的潜在材料。近两年来，基于GaN的市场应用取得了诸多突破，并开始渗透到消费电子、工业和汽车市场。尤其是GaN在快充、车载激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电、数据中心等领域展现出巨大的潜力。孙在恒强调：“我相信GaN基应用将成为未来十年半导体行业增长最快的领域，现在Innoscience的苏州工厂已准备好量产，我们已做好充分准备拥抱GaN时代。”

招银国际（CMBI）首席投资官王洪波表示，作为全球首家建设GaN IDM量产线的公司，英诺科技以里程碑式的突破改变并引领了全球第三代半导体的发展。他相信GaN的意义和价值在未来会被挖掘出来。 “作为 Innoscience 最早的投资方，招银国际首次通过 Power Point 演示做出投资决定。作为管理千亿财富池的投资者，我们的价值不是精明地积累财富，而是为最优秀的创业者配置资源，与他们一起改变世界。”王洪波指出，“成功量产对我们来说是一个值得骄傲的时刻，我们也感谢政府和上下游合作伙伴在我们投资Innoscience时给予我们的大力支持。第三代半导体产业的发展才刚刚开始，重要的是产业的所有合作伙伴共同发展生态系统，创造更美好的未来。”

第三代半导体产业技术创新战略联盟主任吴玲表示，中国对碳达峰和碳中和的庄严承诺，以及以新能源为特色的新电力体系的建立，意味着第三代半导体产业可以释放市场潜力巨大，发展势头强劲。 “英诺科技8英寸硅基氮化镓量产处于世界前列，但中国化合物半导体特别是第三代半导体要走在世界前列还有很长的路要走。在碳化硅、衬底等功率半导体等未来颠覆性技术方面，中国与世界主要参与者仍有巨大差距。此外，还需要在研发体系和产业生态系统上进行改进。”吴玲强调，“十四五”明确提出集成电路、碳化硅、氮化镓等重点发展领域。预计英诺赛科将在未来发挥引领作用，带动产业发展，为人类绿色低碳可持续发展贡献力量，助力创造美好未来。”

英诺赛科（苏州）半导体有限公司成立于2017年10月，注册资本27亿元，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30-900V功率半导体器件、IC及射频RF器件，是全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。截止目前，公司员工超1000名，国内外核心专利申请超500项。

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