Innoscience AllGaN 解决方案发布

2小时、1小时、半小时、15分钟……“人类的伴侣”手机充电速度，短短几年不断突破极限。在这个过程中也经常提到氮化镓这个词。事实上，得益于以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术的快速进步，快充技术现在已经提供了近乎完美的体验。

根据野村证券3月份发布的一份行业报告，未来2-3年，第三代半导体将重塑全球电源市场，取代硅制成的功率器件。野村还预测，到2023年，第三代半导体的市值将以每年60%以上的速度增长。在这样的趋势下，随着各大厂商纷纷涌入市场，第三代半导体竞争愈演愈烈。谁将在竞争者中脱颖而出？ Innoscience 可能是最有前途的种子选手。

PCIM Asia 2021会议于9月9日如期举行，在SiC和GaN技术与应用分析会议分会场，Innoscience产品应用副总裁陈玉林发表了题为“All-GaN系列解决方案和应用”的主题演讲。它的应用趋势”，这是建立在 USB PD3​​.0 输出范围的扩展之上的，这是 USB PD3​​.1 协议的结果。

随着电池容量的增加和更好的快充用户体验，大功率充电器发展迅速； 在功率显着增加的同时，消费者表现出对更小的充电器的偏好，这只能通过提供更高功率密度的设备来满足。 此外，USB PD3.1协议的扩展也对电源设计提出了新的挑战。 由氮化镓 (GaN)/碳化硅等宽带隙材料制成的功率开关以其出色的效率和高开关频率开启了电力电子的新时代。

因此，Innoscience推出了全系列的All-GaN解决方案，覆盖功率从65W到240W，功率密度和效率都有所提升。

据陈玉林介绍，Innoscience All-GaN解决方案分为三种：65W 2C1A、120W单C和240W 48V/5A。

其中，65W方案采用ACF+BUCK架构，功率密度25W/in3，尺寸接近传统Si 30W快充。

120W方案采用Boost PFC+ACF架构，功率密度38W/in3，尺寸堪比传统65W快充。

240W（PD3.1 48V5A）方案采用图腾柱无桥PFC+LLC设计，功率密度41W/in3，一张银行卡大小。

Innoscience 推出 150V GaN 芯片以提供全 GaN 解决方案。与市面上最高标准的150V Si MOS相比，Ron*Qg小6倍，Ron*Coss 2.4倍，Ron*Area 2.5倍，综合性能可提升2-3倍。它具有四大优势：高频、高边自驱动同步整流、无反向恢复电荷、更便于包络跟踪和集成。

得益于丰富的InnoGaN系列产品线，Innoscience在消费类电源市场上遥遥领先。 Innoscience目前出货量超过3000万台，已为联想、努比亚、Pisen、MOMAX、QCY等60多家客户提供先进的氮化镓解决方案，并与合作伙伴共同推出卓越的氮化镓应用解决方案。

展望未来，陈玉林表示，All GaN解决方案将有机会在消费、数据中心和电动汽车三大领域得到广泛应用。他还透露，在OPPO不久前推出的最新一代智能手机中，其内置的GaN电子开关采用了GaN双向开关器件。

作为全球第一家能够量产8英寸硅基氮化镓的公司，英诺科技正以里程碑式的突破改变并引领全球第三代半导体的发展。 据悉，英诺科技珠海生产基地目前产能为4K晶圆/月。 苏州产线6月投产量产，一期产能预计达到6K片/月，满负荷产能达到65K片/月。 随着苏州工厂的成功量产，Innoscience 将为迎接 GaN 时代做好充分准备。

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