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Innoscience 与 ASML 签约仪式
21Jan 2021 事件
2021 年 1 月 21 日 – InnoScience 和 ASML 就用于先进硅基氮化镓功率半导体的高通量 i-line 和 KrF TWINSCAN 扫描仪的升级版本达成批量采购协议。
领先的 GaN-on-Silicon 集成器件制造商 Innoscience Technology Co., Ltd.（“Innoscience”）最近从世界领先的半导体行业光刻系统供应商 ASML Holding N.V.（“ASML”）购买了几台 TWINSCAN 扫描仪。 ASML 的 XT: 400 和 XT: 860 200 mm i-line 和 KrF 扫描仪分别适用于制造 GaN-on-Si 功率器件。这些工具不仅能提供最佳性能，还能提供市场上最高的生产力和最低的拥有成本。 ASML 的双级 TWINSCAN 架构目前代表了全球大部分 200 毫米和 300 毫米大批量制造工厂的光刻主干。 Innoscience 将在今年第二季度收到第一批系统。 Innoscience 是宽带隙半导体领域全球第一家将 ASML 先进的 TWINSCAN 光刻工具应用于批量生产的公司，这一努力将把快速增长的行业带入一个新时代。
生长用光刻设备
大趋势
Innoscience成立于2015年12月，是一家致力于开发GaN on Si电源解决方案的公司。 Innoscience成功建立了全球第一条200mm GaN-on-Si功率器件量产线，提供包括30V-650V GaN-on-Si功率器件在内的多种产品。 Innoscience 产品设计和性能达到国际先进水平，目前广泛应用于Power Delivery 充电器、3D 相机、包括智能手机、笔记本电脑、平板电脑在内的便携式设备。 Innoscience 致力于打造世界一流品牌，为广泛的带隙半导体产业及其生态系统。
基于 GaN 的功率器件和电路可实现高开关频率和高功率密度的高效能源管理。这些功能是快速增长的应用所必需的，例如数据中心、可再生能源和下一代无线网络。除了小得多的尺寸因素外，GaN-on-Si 还是快速充电和汽车电气化的理想选择。氮化镓 (GaN) 也被称为“第三代半导体”，连同其他材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化铝 (AlN)、金刚石和氧化锌 (ZnO)。
由业内最佳选择
InnoScience 首席执行官 Jay Son 表示：“我很荣幸地宣布 Innoscience 和 ASML 已建立合作伙伴关系，旨在通过 GaN 技术改变未来。作为第三代半导体的创新领导者，Innoscience 需要强大的合作伙伴关系来快速推进其技术。通过与 ASML 一起创建尖端解决方案，我们将在快速充电器、飞行时间 (ToF) 相机、智能手机、电动汽车、数据等快速增长的应用中为我们的客户、合作伙伴和消费者提供附加值center 等。 Innoscience 和 ASML 将共同开发下一代 GaN 器件，为未来的电力世界提供先进的解决方案。
ASML副总裁兼中国区经理沉博表示：“我们很高兴成为InnoScience的合作伙伴。第三代半导体材料在全球市场具有广阔的应用前景。ASML致力于支持该领域的客户，以我们广泛的整体光刻系统和服务套件。”
“我们的 TWINSCAN 200 mm XT 扫描仪平台，包括 i-line、KrF 和干式 ArF 产品线，是快速增长的硅基氮化镓市场的理想长期解决方案，不仅在生产力和拥有成本方面， ASML 的 DUV 业务线产品营销和业务开发高级总监 Toni Mesquida Kuesters 说：“随着时间的推移，随着 GaN 技术在新应用中的采用，覆盖和成像要求也会不断发展。” “我们致力于帮助 InnoScience 实现其设想的目标，并期待着富有成效的合作。”